绝缘栅介质层的制备方法及其碳化硅器件和碳化硅器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910510850.9

申请日：

2019-06-13

公开(公告)号：

CN110233174A

公开(公告)日：

2019-09-13

发明(设计)人：

杨良姚金才陈宇

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区福保街道市花路5号长富金茂大厦22层2201-01

IPC主分类号：

H01L2912

IPC分类号：

H01L2102 H01L29423

代理机构：

杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289

代理人：

姚宇吉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/12 申请日:20190613
2019-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅器件的栅氧化层的制备方法与碳化硅器件 [P].

汪洋 ;

张耀辉 .

中国专利 :CN114023633A ,2022-02-08

[2]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[3]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[4]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934A ,2022-12-02

[5]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

袁昊 ;

肖莉 ;

王梁永 ;

宋庆文 ;

周显华 ;

何艳静 .

中国专利 :CN112397566A ,2021-02-23

[6]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

罗顶 ;

徐承福 ;

范美聪 .

中国专利 :CN114628248A ,2022-06-14

[7]

碳化硅器件和用于制造碳化硅器件的方法 [P].

R.柯恩 ;

R.鲁普 .

中国专利 :CN109427563A ,2019-03-05

[8]

碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P].

E·菲尔古特 ;

R·K·约希 ;

R·西米尼克 ;

T·巴斯勒 ;

M·格鲁贝尔 ;

J·希尔森贝克 ;

D·彼得斯 ;

R·鲁普 ;

W·肖尔茨 .

德国专利 :CN120390431A ,2025-07-29

[9]

碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P].

E.菲尔古特 ;

R.K.约希 ;

R.西米尼克 ;

T.巴斯勒 ;

M.格鲁贝尔 ;

J.希尔森贝克 ;

D.彼得斯 ;

R.鲁普 ;

W.肖尔茨 .

德国专利 :CN110676322B ,2025-05-30

[10]

碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P].

H-J.舒尔策 ;

T.巴斯勒 ;

A.R.施特格纳 .

中国专利 :CN110931562A ,2020-03-27

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