碳化硅器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910755009.6

申请日：

2019-08-15

公开(公告)号：

CN112397566A

公开(公告)日：

2021-02-23

发明(设计)人：

袁昊肖莉王梁永宋庆文周显华何艳静

申请人：

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916

代理机构：

北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315

代理人：

黎雷;姜凤岩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190815
2021-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

罗顶 ;

徐承福 ;

范美聪 .

中国专利 :CN114628248A ,2022-06-14

[2]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

刘胜北 ;

花芯 ;

贺中鹤 .

中国专利 :CN119383999A ,2025-01-28

[3]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934A ,2022-12-02

[4]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

杨涛 ;

夏长奉 ;

苏巍 ;

周国平 .

中国专利 :CN113555277A ,2021-10-26

[5]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934B ,2025-07-25

[6]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[7]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

徐航 ;

杨雅芬 ;

钱哲弘 ;

崔文荣 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118431293B ,2024-09-17

[8]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

徐航 ;

杨雅芬 ;

钱哲弘 ;

崔文荣 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118431293A ,2024-08-02

[9]

碳化硅器件 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN114512531A ,2022-05-17

[10]

碳化硅UMOSFET器件及其制备方法 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN109742148A ,2019-05-10

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