碳化硅器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211043513.1

申请日：

2022-08-29

公开(公告)号：

CN115424934B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

毕建雄

申请人：

中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

张亚静

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省绍兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934A ,2022-12-02

[2]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

罗顶 ;

徐承福 ;

范美聪 .

中国专利 :CN114628248A ,2022-06-14

[3]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

袁昊 ;

肖莉 ;

王梁永 ;

宋庆文 ;

周显华 ;

何艳静 .

中国专利 :CN112397566A ,2021-02-23

[4]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

杨涛 ;

夏长奉 ;

苏巍 ;

周国平 .

中国专利 :CN113555277A ,2021-10-26

[5]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

刘胜北 ;

花芯 ;

贺中鹤 .

中国专利 :CN119383999A ,2025-01-28

[6]

碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件 [P].

席韡 ;

刘奇斌 .

中国专利 :CN112967929A ,2021-06-15

[7]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[8]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[9]

碳化硅半导体器件及其制备方法 [P].

陈勇 ;

肖帅 ;

马万里 .

中国专利 :CN120379313B ,2025-10-14

[10]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

王鹏飞 ;

范让萱 ;

刘磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN119153497A ,2024-12-17

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