碳化硅半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510859708.0

申请日：

2025-06-25

公开(公告)号：

CN120379313B

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

陈勇肖帅马万里

申请人：

珠海格力电子元器件有限公司

申请人地址：

519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

霍文娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	公开	公开
2025-10-14	授权	授权
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250625

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制备方法 [P].

陈勇 ;

肖帅 ;

马万里 .

中国专利 :CN120379313A ,2025-07-25

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

北林弘之 .

中国专利 :CN105390544B ,2016-03-09

[3]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

[4]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

原田真 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

津守将斗 .

中国专利 :CN102224594A ,2011-10-19

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

前山雄介 ;

西川恒一 ;

福田祐介 ;

清水正章 ;

佐藤雅 ;

岩黑弘明 ;

野中贤一 .

中国专利 :CN1838428A ,2006-09-27

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104854704A ,2015-08-19

[7]

碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用 [P].

季益静 ;

吴贤勇 ;

贺艺舒 .

中国专利 :CN114156184A ,2022-03-08

[8]

碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

曾为 ;

杜伟华 ;

李毕庆 ;

张洁 .

中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12

[9]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

中国专利 :CN105074933B ,2015-11-18

[10]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

香川泰宏 ;

田中梨菜 ;

福井裕 ;

海老原洪平 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN105474402B ,2016-04-06

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