碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111451571.3

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN114156184A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

季益静吴贤勇贺艺舒

申请人：

申请人地址：

200135 上海市浦东新区云水路600号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2910 H01L2916 H01L29167 H01L2978

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

郑元博

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	公开	公开
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20211130

共 50 条

[1]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

[2]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013245A ,2021-06-22

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

玉祖秀人 .

中国专利 :CN104285299A ,2015-01-14

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

斋藤雄 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105074930A ,2015-11-18

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

宫原真一朗 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

渡边行彦 ;

副岛成雅 ;

石川刚 .

中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104662664B ,2015-05-27

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

斋藤雄 ;

林秀树 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03

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