碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911330163.5

申请日：

2019-12-20

公开(公告)号：

CN113013245A

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

田意徐大伟

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2945 H01L29417 H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191220
2021-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN210837768U ,2020-06-23

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013244A ,2021-06-22

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN210837769U ,2020-06-23

[4]

碳化硅半导体器件的制作方法 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013223A ,2021-06-22

[5]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

玉祖秀人 .

中国专利 :CN104285299A ,2015-01-14

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

斋藤雄 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105074930A ,2015-11-18

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

宫原真一朗 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

渡边行彦 ;

副岛成雅 ;

石川刚 .

中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104662664B ,2015-05-27

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

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