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碳化硅半导体器件的制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911328043.1
申请日：
2019-12-20
公开(公告)号：
CN113013223A
公开(公告)日：
2021-06-22
发明(设计)人：
田意
徐大伟
申请人：
申请人地址：
201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2924
H01L29417
H01L21336
H01L2978
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
罗泳文
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-06-22 | 公开 | 公开 |
| 2021-07-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20191220 |