碳化硅半导体器件及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210433930.0

申请日：

2022-04-24

公开(公告)号：

CN114678425A

公开(公告)日：

2022-06-28

发明(设计)人：

袁俊

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L29417 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

姚璐华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-28	公开	公开
2022-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220424

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114678425B ,2025-12-02

[2]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114141627A ,2022-03-04

[3]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114141627B ,2025-07-11

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468441U ,2022-09-20

[5]

碳化硅半导体器件的制作方法 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013223A ,2021-06-22

[6]

碳化硅半导体器件的制作方法 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013036A ,2021-06-22

[7]

碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 [P].

倪炜江 ;

陈彤 .

中国专利 :CN103606551A ,2014-02-26

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

片冈光浩 ;

竹内有一 ;

内藤正美 ;

拉杰什·库马尔 ;

松波弘之 ;

木本恒畅 .

中国专利 :CN1481030A ,2004-03-10

[9]

碳化硅半导体结构、器件及其制作方法 [P].

P·A·罗西 ;

S·D·阿瑟 ;

D·M·布朗 ;

K·S·马托查 ;

R·R·劳 .

中国专利 :CN101989615A ,2011-03-23

[10]

碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用 [P].

季益静 ;

吴贤勇 ;

贺艺舒 .

中国专利 :CN114156184A ,2022-03-08

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