碳化硅半导体结构、器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010251981.9

申请日：

2010-08-02

公开(公告)号：

CN101989615A

公开(公告)日：

2011-03-23

发明(设计)人：

P·A·罗西 S·D·阿瑟 D·M·布朗 K·S·马托查 R·R·劳

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

朱海煜;徐予红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	公开	公开
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101293109705 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2010102519819 申请日:20100802
2014-12-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101709105631 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2010102519819 申请公布日:20110323

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114141627A ,2022-03-04

[2]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114141627B ,2025-07-11

[3]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

[4]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[5]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114678425A ,2022-06-28

[6]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114678425B ,2025-12-02

[7]

一种碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

黄国华 ;

冯明宪 ;

门洪达 ;

张伟 ;

王坤池 ;

周月 .

中国专利 :CN103681859A ,2014-03-26

[8]

碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 [P].

倪炜江 ;

陈彤 .

中国专利 :CN103606551A ,2014-02-26

[9]

碳化硅半导体器件的制作方法 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013223A ,2021-06-22

[10]

碳化硅半导体器件的制作方法 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013036A ,2021-06-22

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