一种碳化硅半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310377797.2

申请日：

2013-08-27

公开(公告)号：

CN103681859A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

黄国华冯明宪门洪达张伟王坤池周月

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市翔安区翔星路88号台湾科技企业育成中心强业楼507室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L2936 H01L29423 H01L21336

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758371839 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103777972 申请公布日:20140326
2014-03-26	公开	公开
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581692463 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103777972 申请日:20130827

共 50 条

[1]

一种碳化硅半导体器件 [P].

黄国华 ;

冯明宪 ;

门洪达 ;

张伟 ;

王坤池 ;

周月 .

中国专利 :CN203423185U ,2014-02-05

[2]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114141627A ,2022-03-04

[3]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114141627B ,2025-07-11

[4]

碳化硅半导体器件的制作方法 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013036A ,2021-06-22

[5]

碳化硅沟槽型半导体器件及其制作方法 [P].

倪炜江 ;

陈彤 .

中国专利 :CN103606551A ,2014-02-26

[6]

碳化硅半导体结构、器件及其制作方法 [P].

P·A·罗西 ;

S·D·阿瑟 ;

D·M·布朗 ;

K·S·马托查 ;

R·R·劳 .

中国专利 :CN101989615A ,2011-03-23

[7]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114678425A ,2022-06-28

[8]

碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN114678425B ,2025-12-02

[9]

碳化硅半导体器件的制作方法 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013223A ,2021-06-22

[10]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

日吉透 ;

斋藤雄 .

中国专利 :CN104737292A ,2015-06-24

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