一种碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320525244.2

申请日：

2013-08-27

公开(公告)号：

CN203423185U

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

黄国华冯明宪门洪达张伟王坤池周月

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市翔安区翔星路88号台湾科技企业育成中心强业楼507室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20130827 授权公告日:20140205 终止日期:20210827
2014-02-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅半导体器件及其制作方法 [P].

黄国华 ;

冯明宪 ;

门洪达 ;

张伟 ;

王坤池 ;

周月 .

中国专利 :CN103681859A ,2014-03-26

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN210837769U ,2020-06-23

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

宫原真一朗 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

渡边行彦 ;

副岛成雅 ;

石川刚 .

中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

斋藤雄 ;

林秀树 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102859697A ,2013-01-02

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013244A ,2021-06-22

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

内田光亮 ;

增田健良 .

中国专利 :CN106449380A ,2017-02-22

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN210837768U ,2020-06-23

[9]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[10]

碳化硅肖特基半导体器件 [P].

林苡任 ;

史波 ;

陈道坤 ;

曾丹 .

中国专利 :CN212625590U ,2021-02-26

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