碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380042640.2

申请日：

2013-07-04

公开(公告)号：

CN104541376A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

增田健良斋藤雄林秀树日吉透和田圭司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2912

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

韩峰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609906950 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013800426402 申请日:20130704
2018-05-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150422
2015-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102859697A ,2013-01-02

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

斋藤雄 .

日本专利 :CN118648120A ,2024-09-13

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103765594B ,2014-04-30

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693824A ,2024-03-12

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304702B ,2016-02-03

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693823A ,2024-03-12

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

内田光亮 ;

增田健良 .

中国专利 :CN106449380A ,2017-02-22

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN111670502A ,2020-09-15

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