碳化硅半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202280051428.1
申请日
2022-07-13
公开(公告)号
CN117693823A
公开(公告)日
2024-03-12
发明(设计)人
内田光亮 增田健良 斋藤雄
申请人
住友电气工业株式会社
申请人地址
日本大阪
IPC主分类号
H01L29/78
IPC分类号
H01L29/12 H01L29/06
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
赵曦
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅半导体器件 [P]. 
内田光亮 ;
斋藤雄 .
日本专利 :CN117693824A ,2024-03-12
[2]
碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P]. 
大西徹 ;
朽木克博 ;
山本建策 .
日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22
[3]
碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P]. 
大西徹 ;
朽木克博 ;
山本建策 .
中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16
[4]
碳化硅半导体器件 [P]. 
日吉透 ;
增田健良 ;
和田圭司 ;
筑野孝 .
中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01
[5]
碳化硅半导体器件 [P]. 
内田光亮 ;
日吉透 .
中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03
[6]
碳化硅半导体器件 [P]. 
增田健良 ;
日吉透 ;
和田圭司 .
中国专利 :CN102859697A ,2013-01-02
[7]
碳化硅半导体器件 [P]. 
斋藤雄 .
日本专利 :CN118648120A ,2024-09-13
[8]
碳化硅半导体器件 [P]. 
和田圭司 ;
增田健良 ;
日吉透 .
中国专利 :CN103765594B ,2014-04-30
[9]
碳化硅半导体器件 [P]. 
内田光亮 ;
日吉透 .
中国专利 :CN105304702B ,2016-02-03
[10]
碳化硅半导体器件 [P]. 
内田光亮 ;
日吉透 .
中国专利 :CN111670502A ,2020-09-15