碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980012903.2

申请日：

2019-01-29

公开(公告)号：

CN111788661A

公开(公告)日：

2020-10-16

发明(设计)人：

大西徹朽木克博山本建策

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2104 H01L2916

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

张海涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/316 申请日:20190129
2020-10-16	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[2]

碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

林秀树 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103247680A ,2013-08-14

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693824A ,2024-03-12

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693823A ,2024-03-12

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

内田光亮 ;

增田健良 .

中国专利 :CN106449380A ,2017-02-22

[6]

碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 ;

堀井拓 ;

内田光亮 .

中国专利 :CN106796886A ,2017-05-31

[7]

碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN113748491A ,2021-12-03

[8]

制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN105448959B ,2016-03-30

[9]

用于制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件 [P].

斋藤雄 ;

增田健良 ;

田中聪 ;

平塚健二 ;

岛津充 ;

神原健司 .

中国专利 :CN104321876A ,2015-01-28

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

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