碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310010077.2

申请日：

2013-01-11

公开(公告)号：

CN103247680A

公开(公告)日：

2013-08-14

发明(设计)人：

林秀树增田健良

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2104

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587603893 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013100100772 申请日:20130111
2013-08-14	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[2]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

[3]

碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 ;

堀井拓 ;

内田光亮 .

中国专利 :CN106796886A ,2017-05-31

[4]

碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN113748491A ,2021-12-03

[5]

制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN105448959B ,2016-03-30

[6]

制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件 [P].

林秀树 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103258721A ,2013-08-21

[7]

用于制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件 [P].

斋藤雄 ;

增田健良 ;

田中聪 ;

平塚健二 ;

岛津充 ;

神原健司 .

中国专利 :CN104321876A ,2015-01-28

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

斋藤雄 ;

林秀树 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03

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