碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380048989.7

申请日：

2013-09-04

公开(公告)号：

CN104662664B

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

山田俊介日吉透增田健良和田圭司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2912 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-30	授权	授权
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614603140 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2013800489897 申请日:20130904
2015-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN107068732B ,2017-08-18

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104871316A ,2015-08-26

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104854704A ,2015-08-19

[4]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[5]

碳化硅肖特基半导体器件 [P].

林苡任 ;

史波 ;

陈道坤 ;

曾丹 .

中国专利 :CN212625590U ,2021-02-26

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

斋藤雄 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105074930A ,2015-11-18

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

宫原真一朗 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

渡边行彦 ;

副岛成雅 ;

石川刚 .

中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

斋藤雄 ;

林秀树 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

前山雄介 ;

西川恒一 ;

福田祐介 ;

清水正章 ;

佐藤雅 ;

岩黑弘明 ;

野中贤一 .

中国专利 :CN1838428A ,2006-09-27

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

原田真 ;

玉祖秀人 ;

畑山智亮 .

中国专利 :CN102171827A ,2011-08-31

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