碳化硅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980146557.3

申请日：

2009-02-03

公开(公告)号：

CN102224594A

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

原田真增田健良和田圭司津守将斗

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21316 H01L21336 H01L2912

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-24	授权	授权
2023-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090203 授权公告日:20140924 终止日期:20220203
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145714335 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009801465573 申请日:20090203
2011-10-19	公开	公开
2014-11-19	发明专利更正	发明专利更正卷:30 号:39 页码:无申请号:2009801465573 更正项目:权利要求误:错误正:正确

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102804349A ,2012-11-28

[2]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

原田真 .

中国专利 :CN102652361B ,2012-08-29

[3]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

原田真 .

中国专利 :CN102725849A ,2012-10-10

[4]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

中村俊一 ;

米泽喜幸 .

中国专利 :CN101060081A ,2007-10-24

[5]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

中国专利 :CN105074933B ,2015-11-18

[6]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

香川泰宏 ;

田中梨菜 ;

福井裕 ;

海老原洪平 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN105474402B ,2016-04-06

[7]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[8]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

[9]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN105556675A ,2016-05-04

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

前山雄介 ;

西川恒一 ;

福田祐介 ;

清水正章 ;

佐藤雅 ;

岩黑弘明 ;

野中贤一 .

中国专利 :CN1838428A ,2006-09-27

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