碳化硅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710101312.1

申请日：

2007-04-16

公开(公告)号：

CN101060081A

公开(公告)日：

2007-10-24

发明(设计)人：

中村俊一米泽喜幸

申请人：

申请人地址：

日本川崎县

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2951 H01L2978

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

张鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-24	公开	公开
2009-12-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

原田真 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

津守将斗 .

中国专利 :CN102224594A ,2011-10-19

[2]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102804349A ,2012-11-28

[3]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

中国专利 :CN105074933B ,2015-11-18

[4]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

香川泰宏 ;

田中梨菜 ;

福井裕 ;

海老原洪平 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN105474402B ,2016-04-06

[5]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

原田真 .

中国专利 :CN102652361B ,2012-08-29

[6]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

原田真 .

中国专利 :CN102725849A ,2012-10-10

[7]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[8]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

[9]

制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN101336473A ,2008-12-31

[10]

碳化硅半导体衬底、制造碳化硅半导体衬底的方法、以及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀井拓 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105453219A ,2016-03-30

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