碳化硅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480008899.X

申请日：

2014-02-04

公开(公告)号：

CN105074933B

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

内田光亮增田健良斋藤雄

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2912

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101637752411 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201480008899X 申请日:20140204 号牌文件类型代码:1604
2018-01-23	授权	授权
2015-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

香川泰宏 ;

田中梨菜 ;

福井裕 ;

海老原洪平 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN105474402B ,2016-04-06

[2]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

原田真 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

津守将斗 .

中国专利 :CN102224594A ,2011-10-19

[3]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

原田真 .

中国专利 :CN102652361B ,2012-08-29

[4]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

原田真 .

中国专利 :CN102725849A ,2012-10-10

[5]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN105556675A ,2016-05-04

[6]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103548144A ,2014-01-29

[7]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102804349A ,2012-11-28

[8]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

堀井拓 ;

木岛正贵 .

中国专利 :CN105074886B ,2015-11-18

[9]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

登尾正人 ;

山本建策 ;

松木英夫 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

副岛成雅 ;

石川刚 ;

渡边行彦 .

中国专利 :CN102844867A ,2012-12-26

[10]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

久保田良辅 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

增田健良 ;

滨岛大辅 ;

田中聪 ;

木村真二 ;

小林正幸 .

中国专利 :CN105706221B ,2016-06-22

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