碳化硅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480061004.9

申请日：

2014-09-18

公开(公告)号：

CN105706221B

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

久保田良辅山田俊介堀井拓增田健良滨岛大辅田中聪木村真二小林正幸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2166 H01L2912 H01L29423 H01L2949 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-15	授权	授权
2016-06-22	公开	公开
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670889842 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014800610049 申请日:20140918

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103548144A ,2014-01-29

[2]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[3]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

[4]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

香川泰宏 ;

田中梨菜 ;

福井裕 ;

海老原洪平 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN105474402B ,2016-04-06

[5]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN105556675A ,2016-05-04

[6]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

堀井拓 ;

木岛正贵 .

中国专利 :CN105074886B ,2015-11-18

[7]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

登尾正人 ;

山本建策 ;

松木英夫 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

副岛成雅 ;

石川刚 ;

渡边行彦 .

中国专利 :CN102844867A ,2012-12-26

[8]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

日吉透 ;

和田圭司 ;

增田健良 .

中国专利 :CN104737297A ,2015-06-24

[9]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

山本建策 ;

登尾正人 ;

松木英夫 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

副岛成雅 ;

石川刚 ;

渡边行彦 .

中国专利 :CN103348478A ,2013-10-09

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102859697A ,2013-01-02

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