碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311691089.6

申请日：

2023-12-09

公开(公告)号：

CN117878138A

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

曾为杜伟华李毕庆张洁

申请人：

湖南三安半导体有限责任公司

申请人地址：

410217 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/30 H01L29/16 H01L21/02 H01L21/04

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

管自英

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	公开	公开
2024-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20231209

共 50 条

[1]

碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件 [P].

杜伟华 ;

张洁 ;

曾为 ;

肖旭凌 ;

李毕庆 ;

江协龙 .

中国专利 :CN117476741A ,2024-01-30

[2]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

[3]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN216120213U ,2022-03-22

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104871316A ,2015-08-26

[6]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05

[7]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[8]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[9]

碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P].

田宇 ;

张希山 .

中国专利 :CN118248535B ,2024-10-22

[10]

碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P].

田宇 ;

张希山 .

中国专利 :CN118248535A ,2024-06-25

← 1 2 3 4 5 →