碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311132937.X

申请日：

2023-09-04

公开(公告)号：

CN117476741A

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

杜伟华张洁曾为肖旭凌李毕庆江协龙

申请人：

湖南三安半导体有限责任公司

申请人地址：

410217 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/16 H01L29/167 H01L21/04

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

强珍妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20230904
2024-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

曾为 ;

杜伟华 ;

李毕庆 ;

张洁 .

中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN216120213U ,2022-03-22

[3]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[4]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

[5]

碳化硅半导体衬底、制造碳化硅半导体衬底的方法、以及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀井拓 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105453219A ,2016-03-30

[6]

碳化硅半导体衬底、制造碳化硅半导体衬底的方法、以及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀井拓 ;

久保田良辅 ;

增田健良 .

中国专利 :CN105453220A ,2016-03-30

[7]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

宫原真一朗 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

渡边行彦 ;

副岛成雅 ;

石川刚 .

中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104662664B ,2015-05-27

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

前山雄介 ;

西川恒一 ;

福田祐介 ;

清水正章 ;

佐藤雅 ;

岩黑弘明 ;

野中贤一 .

中国专利 :CN1838428A ,2006-09-27

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