碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410683181.6

申请日：

2024-05-30

公开(公告)号：

CN118248535B

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

田宇张希山

申请人：

芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号

IPC主分类号：

H01L21/04

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/16 H01L29/167

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	公开	公开
2024-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/04申请日:20240530
2024-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P].

田宇 ;

张希山 .

中国专利 :CN118248535A ,2024-06-25

[2]

碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

曾为 ;

杜伟华 ;

李毕庆 ;

张洁 .

中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12

[3]

碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件 [P].

杜伟华 ;

张洁 ;

曾为 ;

肖旭凌 ;

李毕庆 ;

江协龙 .

中国专利 :CN117476741A ,2024-01-30

[4]

碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

田新 ;

方世琼 ;

张春伟 ;

江宏富 ;

史振 ;

林波 ;

耿庆智 .

中国专利 :CN120400988A ,2025-08-01

[5]

碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

田新 ;

方世琼 ;

张春伟 ;

江宏富 ;

史振 ;

林波 ;

耿庆智 .

中国专利 :CN120400988B ,2025-09-30

[6]

碳化硅外延片少子寿命的提升方法、碳化硅外延片和半导体器件 [P].

张士良 ;

钟泳生 ;

虞舒宁 ;

羊肖玢 ;

马万里 .

中国专利 :CN120844202A ,2025-10-28

[7]

p型碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

夏宇航 ;

赵哲 .

中国专利 :CN119877088A ,2025-04-25

[8]

碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法 [P].

刘小平 ;

伍搏 ;

刘红超 .

中国专利 :CN120980934A ,2025-11-18

[9]

碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用 [P].

季益静 ;

吴贤勇 ;

贺艺舒 .

中国专利 :CN114156184A ,2022-03-08

[10]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

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