碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511129099.X

申请日：

2025-08-13

公开(公告)号：

CN120980934A

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

刘小平伍搏刘红超

申请人：

长飞先进半导体（武汉）有限公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区春光路8号

IPC主分类号：

H10D62/832

IPC分类号：

H10D62/10 H10D10/80 H10D10/01 H10D12/01 H10D12/00 H01L21/02 C30B29/36 C30B23/02 C30B25/02

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

黄立伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	公开	公开
2025-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/832申请日:20250813

共 50 条

[1]

碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

曾为 ;

杜伟华 ;

李毕庆 ;

张洁 .

中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12

[2]

碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

田新 ;

方世琼 ;

张春伟 ;

江宏富 ;

史振 ;

林波 ;

耿庆智 .

中国专利 :CN120400988A ,2025-08-01

[3]

碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

田新 ;

方世琼 ;

张春伟 ;

江宏富 ;

史振 ;

林波 ;

耿庆智 .

中国专利 :CN120400988B ,2025-09-30

[4]

碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P].

田宇 ;

张希山 .

中国专利 :CN118248535B ,2024-10-22

[5]

半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法 [P].

刘小平 ;

伍搏 ;

刘红超 .

中国专利 :CN120797205A ,2025-10-17

[6]

碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P].

田宇 ;

张希山 .

中国专利 :CN118248535A ,2024-06-25

[7]

一种碳化硅外延片及制备方法和半导体器件 [P].

姚力军 ;

费磊 ;

郭付成 ;

边逸军 ;

左万胜 ;

张剑 ;

周建平 .

中国专利 :CN118676188A ,2024-09-20

[8]

碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件 [P].

杜伟华 ;

张洁 ;

曾为 ;

肖旭凌 ;

李毕庆 ;

江协龙 .

中国专利 :CN117476741A ,2024-01-30

[9]

碳化硅半导体器件及制备方法 [P].

陈昭铭 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

夏经华 ;

张安平 .

中国专利 :CN113972261A ,2022-01-25

[10]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

伊东洋典 ;

西口太郎 ;

樱田隆 .

日本专利 :CN115003866B ,2024-05-03

← 1 2 3 4 5 →