碳化硅半导体器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111182922.5

申请日：

2021-10-11

公开(公告)号：

CN113972261A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

陈昭铭殷鸿杰罗惠馨夏经华张安平

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L2966 H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

潘宏洲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211011
2022-04-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20220323 变更事项:申请人变更前权利人:松山湖材料实验室变更后权利人:松山湖材料实验室变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更后权利人:523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更事项:申请人变更后权利人:东莞理工学院
2022-01-25	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013245A ,2021-06-22

[2]

碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用 [P].

季益静 ;

吴贤勇 ;

贺艺舒 .

中国专利 :CN114156184A ,2022-03-08

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN113013244A ,2021-06-22

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN210837769U ,2020-06-23

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN210837768U ,2020-06-23

[6]

碳化硅半导体器件及碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

斋藤雄 .

日本专利 :CN117716512A ,2024-03-15

[7]

碳化硅半导体结构及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

张志成 ;

漆文龙 ;

周岐 ;

区树雄 ;

张建华 ;

张富强 ;

蔡学江 .

中国专利 :CN117476543A ,2024-01-30

[8]

碳化硅及其制备方法、碳化硅陶瓷及半导体器件 [P].

贺鹏博 ;

李亚林 .

中国专利 :CN118290159A ,2024-07-05

[9]

碳化硅及其制备方法、碳化硅陶瓷及半导体器件 [P].

贺鹏博 ;

李亚林 .

中国专利 :CN118290159B ,2025-03-04

[10]

碳化硅半导体器件的终端结构及碳化硅半导体器件 [P].

周艮梅 ;

徐承福 ;

韩玉亮 .

中国专利 :CN220934086U ,2024-05-10

← 1 2 3 4 5 →