p型碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411869687.2

申请日：

2024-12-18

公开(公告)号：

CN119877088A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

夏宇航赵哲

申请人：

希科半导体科技（苏州）有限公司

申请人地址：

215122 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

H01L21/04 H10D62/83 H10D62/834 C30B31/08 C30B29/36

代理机构：

苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙) 32525

代理人：

孔令聪

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

引用

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共 50 条

[1]

碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

曾为 ;

杜伟华 ;

李毕庆 ;

张洁 .

中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12

[2]

碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

田新 ;

方世琼 ;

张春伟 ;

江宏富 ;

史振 ;

林波 ;

耿庆智 .

中国专利 :CN120400988A ,2025-08-01

[3]

碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P].

田新 ;

方世琼 ;

张春伟 ;

江宏富 ;

史振 ;

林波 ;

耿庆智 .

中国专利 :CN120400988B ,2025-09-30

[4]

碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P].

田宇 ;

张希山 .

中国专利 :CN118248535B ,2024-10-22

[5]

碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P].

田宇 ;

张希山 .

中国专利 :CN118248535A ,2024-06-25

[6]

碳化硅外延片少子寿命的提升方法、碳化硅外延片和半导体器件 [P].

张士良 ;

钟泳生 ;

虞舒宁 ;

羊肖玢 ;

马万里 .

中国专利 :CN120844202A ,2025-10-28

[7]

碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件 [P].

杜伟华 ;

张洁 ;

曾为 ;

肖旭凌 ;

李毕庆 ;

江协龙 .

中国专利 :CN117476741A ,2024-01-30

[8]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

[9]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05

[10]

碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀勉 .

中国专利 :CN109791879A ,2019-05-21

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20241218