学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

碳化硅外延片少子寿命的提升方法、碳化硅外延片和半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511052525.4
申请日：
2025-07-29
公开(公告)号：
CN120844202A
公开(公告)日：
2025-10-28
发明(设计)人：
张士良 钟泳生 虞舒宁 羊肖玢 马万里
申请人：
珠海格力电子元器件有限公司
申请人地址：
519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）
IPC主分类号：
C30B33/00
IPC分类号：
C30B33/12 C30B33/02 C30B29/36
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
王露玲
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-28 公开 公开
2025-11-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 33/00申请日:20250729
共 50 条
[1]
一种提升少子寿命的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片 [P]. 
张永强 ;
李召永 ;
李洪浩 ;
尹志鹏 ;
吴会旺 ;
薛宏伟 .
中国专利 :CN118983215A ,2024-11-19
[2]
碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P]. 
曾为 ;
杜伟华 ;
李毕庆 ;
张洁 .
中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12
[3]
碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件 [P]. 
杜伟华 ;
张洁 ;
曾为 ;
肖旭凌 ;
李毕庆 ;
江协龙 .
中国专利 :CN117476741A ,2024-01-30
[4]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
田新 ;
方世琼 ;
张春伟 ;
江宏富 ;
史振 ;
林波 ;
耿庆智 .
中国专利 :CN120400988A ,2025-08-01
[5]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
田新 ;
方世琼 ;
张春伟 ;
江宏富 ;
史振 ;
林波 ;
耿庆智 .
中国专利 :CN120400988B ,2025-09-30
[6]
碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P]. 
张士良 ;
冯尹 ;
张鹏 ;
马万里 ;
钟泳生 .
中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18
[7]
碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P]. 
田宇 ;
张希山 .
中国专利 :CN118248535B ,2024-10-22
[8]
碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件 [P]. 
田宇 ;
张希山 .
中国专利 :CN118248535A ,2024-06-25
[9]
碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P]. 
堀勉 ;
塩见弘 ;
宫濑贵也 .
日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28
[10]
碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P]. 
堀勉 ;
塩见弘 ;
宫濑贵也 .
中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05
12345