一种提升少子寿命的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411471660.8

申请日：

2024-10-22

公开(公告)号：

CN118983215A

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

张永强李召永李洪浩尹志鹏吴会旺薛宏伟

申请人：

河北普兴电子科技股份有限公司

申请人地址：

050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/306 H01L29/16

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

刘少卿

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/02申请公布日:20241119
2024-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20241022
2024-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P].

张士良 ;

冯尹 ;

张鹏 ;

马万里 ;

钟泳生 .

中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18

[2]

碳化硅外延片少子寿命的提升方法、碳化硅外延片和半导体器件 [P].

张士良 ;

钟泳生 ;

虞舒宁 ;

羊肖玢 ;

马万里 .

中国专利 :CN120844202A ,2025-10-28

[3]

碳化硅外延片生长方法 [P].

马爽 ;

韩景瑞 ;

丁雄傑 ;

李锡光 .

中国专利 :CN119800499A ,2025-04-11

[4]

氯硅比分区域可控的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片 [P].

张永强 ;

尹志鹏 ;

尹浩田 ;

李晨阳 ;

杨龙 ;

薛宏伟 .

中国专利 :CN119352150A ,2025-01-24

[5]

一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片 [P].

黄海林 ;

冯淦 ;

赵建辉 .

中国专利 :CN112466745B ,2021-03-09

[6]

碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P].

丁昌钊 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13

[7]

碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P].

李哲洋 ;

王迦卉 ;

于乐 ;

金锐 .

中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08

[8]

碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P].

李哲洋 ;

王迦卉 ;

于乐 ;

金锐 .

中国专利 :CN119877095A ,2025-04-25

[9]

碳化硅的外延生长方法 [P].

伊藤涉 ;

蓝乡崇 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN107075728A ,2017-08-18

[10]

一种碳化硅外延设备及外延生长方法 [P].

张广辉 ;

蒲勇 ;

李达 ;

卢勇 ;

布丛郝 ;

徐玉田 .

中国专利 :CN117604642A ,2024-02-27

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