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一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011344467.X
申请日
:
2020-11-26
公开(公告)号
:
CN112466745B
公开(公告)日
:
2021-03-09
发明(设计)人
:
黄海林
冯淦
赵建辉
申请人
:
申请人地址
:
361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L2104
代理机构
:
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218
代理人
:
刘小勤
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-09
公开
公开
2021-10-08
授权
授权
2021-03-26
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201126
共 50 条
[1]
碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片
[P].
张士良
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
张士良
;
冯尹
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0
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0
机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
冯尹
;
张鹏
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0
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0
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
张鹏
;
马万里
论文数:
0
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
马万里
;
钟泳生
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0
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0
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
钟泳生
.
中国专利
:CN120967508A
,2025-11-18
[2]
碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置
[P].
丁昌钊
论文数:
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0
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
丁昌钊
;
巩泉雨
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
巩泉雨
;
区灿林
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0
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0
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
区灿林
;
谢春林
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
谢春林
;
周维
论文数:
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0
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
周维
.
中国专利
:CN222861711U
,2025-05-13
[3]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备
[P].
李哲洋
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0
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0
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
李哲洋
;
王迦卉
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0
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
王迦卉
;
于乐
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0
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
于乐
;
金锐
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0
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
金锐
.
中国专利
:CN119877095B
,2025-08-08
[4]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备
[P].
李哲洋
论文数:
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
李哲洋
;
王迦卉
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
王迦卉
;
于乐
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
于乐
;
金锐
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0
机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
金锐
.
中国专利
:CN119877095A
,2025-04-25
[5]
一种提升少子寿命的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片
[P].
张永强
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
张永强
;
李召永
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
李召永
;
李洪浩
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
李洪浩
;
尹志鹏
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
尹志鹏
;
吴会旺
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
吴会旺
;
薛宏伟
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
薛宏伟
.
中国专利
:CN118983215A
,2024-11-19
[6]
碳化硅外延片生长载盘
[P].
张郁坚
论文数:
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
张郁坚
;
马爽
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
马爽
;
李锡光
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
李锡光
.
中国专利
:CN222119470U
,2024-12-06
[7]
碳化硅外延生长设备
[P].
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机构:
陈豪杰
;
范谞
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
范谞
;
余乐俊
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
余乐俊
;
吕威
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
吕威
;
周辜名
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
周辜名
.
中国专利
:CN119392374A
,2025-02-07
[8]
碳化硅外延片生长方法
[P].
马爽
论文数:
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
马爽
;
韩景瑞
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
韩景瑞
;
丁雄傑
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
丁雄傑
;
李锡光
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
李锡光
.
中国专利
:CN119800499A
,2025-04-11
[9]
碳化硅外延生长设备
[P].
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引用数:
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机构:
陈豪杰
;
范谞
论文数:
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
范谞
;
余乐俊
论文数:
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
余乐俊
;
吕威
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
吕威
;
周辜名
论文数:
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
周辜名
.
中国专利
:CN223496708U
,2025-10-31
[10]
碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法
[P].
酒井雅
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酒井雅
;
香月真一郎
论文数:
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香月真一郎
;
小林和雄
论文数:
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0
小林和雄
;
日野泰成
论文数:
0
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日野泰成
.
中国专利
:CN112210827A
,2021-01-12
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