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碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510382485.3
申请日
:
2025-03-28
公开(公告)号
:
CN119877095A
公开(公告)日
:
2025-04-25
发明(设计)人
:
李哲洋
王迦卉
于乐
金锐
申请人
:
北京怀柔实验室
申请人地址
:
101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室
IPC主分类号
:
C30B25/14
IPC分类号
:
H01L21/02
C30B25/16
C30B29/36
代理机构
:
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
:
霍文娟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-25
公开
公开
2025-08-08
授权
授权
2025-05-13
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/14申请日:20250328
共 50 条
[1]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备
[P].
李哲洋
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
李哲洋
;
王迦卉
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
王迦卉
;
于乐
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
于乐
;
金锐
论文数:
0
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
金锐
.
中国专利
:CN119877095B
,2025-08-08
[2]
碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置
[P].
丁昌钊
论文数:
0
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0
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
丁昌钊
;
巩泉雨
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
巩泉雨
;
区灿林
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
区灿林
;
谢春林
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
谢春林
;
周维
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
周维
.
中国专利
:CN222861711U
,2025-05-13
[3]
碳化硅外延生长设备
[P].
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机构:
陈豪杰
;
范谞
论文数:
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
范谞
;
余乐俊
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
余乐俊
;
吕威
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
吕威
;
周辜名
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
周辜名
.
中国专利
:CN119392374A
,2025-02-07
[4]
碳化硅外延生长设备
[P].
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机构:
陈豪杰
;
范谞
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
范谞
;
余乐俊
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
余乐俊
;
吕威
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
吕威
;
周辜名
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
周辜名
.
中国专利
:CN223496708U
,2025-10-31
[5]
碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片
[P].
张士良
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
张士良
;
冯尹
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
冯尹
;
张鹏
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
张鹏
;
马万里
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
马万里
;
钟泳生
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
钟泳生
.
中国专利
:CN120967508A
,2025-11-18
[6]
碳化硅外延生长设备
[P].
邓家乐
论文数:
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机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所
邓家乐
;
谢添乐
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机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所
谢添乐
;
巩小亮
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机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所
巩小亮
;
巴赛
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机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所
巴赛
;
胡志坤
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机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所
胡志坤
;
石磊
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机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所
石磊
;
李彦斌
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机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所
李彦斌
.
中国专利
:CN309106980S
,2025-02-11
[7]
碳化硅外延片生长方法
[P].
马爽
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
马爽
;
韩景瑞
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
韩景瑞
;
丁雄傑
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
丁雄傑
;
李锡光
论文数:
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
李锡光
.
中国专利
:CN119800499A
,2025-04-11
[8]
一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片
[P].
黄海林
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黄海林
;
冯淦
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冯淦
;
赵建辉
论文数:
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赵建辉
.
中国专利
:CN112466745B
,2021-03-09
[9]
碳化硅外延片生长载盘
[P].
张郁坚
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
张郁坚
;
马爽
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0
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
马爽
;
李锡光
论文数:
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
李锡光
.
中国专利
:CN222119470U
,2024-12-06
[10]
碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法
[P].
论文数:
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机构:
刘兴昉
;
杨尚宇
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
杨尚宇
;
论文数:
引用数:
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机构:
闫果果
;
论文数:
引用数:
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机构:
王雷
;
论文数:
引用数:
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机构:
赵万顺
;
论文数:
引用数:
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机构:
孙国胜
;
论文数:
引用数:
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机构:
曾一平
.
中国专利
:CN115852490B
,2025-08-29
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