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碳化硅外延片生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411982503.3
申请日：
2024-12-31
公开(公告)号：
CN119800499A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
马爽 韩景瑞 丁雄傑 李锡光
申请人：
广东天域半导体股份有限公司
申请人地址：
523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
IPC主分类号：
C30B25/20
IPC分类号：
C30B29/36 C30B25/16 H01L21/02
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
邹敏敏;张艳美
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省 东莞市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/20申请日:20241231
2025-04-11 公开 公开
共 50 条
[1]
碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P]. 
张士良 ;
冯尹 ;
张鹏 ;
马万里 ;
钟泳生 .
中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18
[2]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08
[3]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095A ,2025-04-25
[4]
氯硅比分区域可控的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片 [P]. 
张永强 ;
尹志鹏 ;
尹浩田 ;
李晨阳 ;
杨龙 ;
薛宏伟 .
中国专利 :CN119352150A ,2025-01-24
[5]
碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P]. 
丁昌钊 ;
巩泉雨 ;
区灿林 ;
谢春林 ;
周维 .
中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13
[6]
一种提升少子寿命的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片 [P]. 
张永强 ;
李召永 ;
李洪浩 ;
尹志鹏 ;
吴会旺 ;
薛宏伟 .
中国专利 :CN118983215A ,2024-11-19
[7]
一种碳化硅外延生长方法 [P]. 
施建新 ;
黄名海 ;
郑英杰 .
中国专利 :CN115029782A ,2022-09-09
[8]
碳化硅的外延生长方法 [P]. 
伊藤涉 ;
蓝乡崇 ;
藤本辰雄 .
中国专利 :CN107075728A ,2017-08-18
[9]
碳化硅外延片生长载盘 [P]. 
张郁坚 ;
马爽 ;
李锡光 .
中国专利 :CN222119470U ,2024-12-06
[10]
一种碳化硅外延片及其生长方法 [P]. 
张优优 ;
潘尧波 ;
罗鹏 ;
唐军 ;
周长健 ;
孙涛 .
中国专利 :CN121228352A ,2025-12-30
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