碳化硅的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680003693.7

申请日：

2016-02-12

公开(公告)号：

CN107075728A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

伊藤涉蓝乡崇藤本辰雄

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C23C1642 C23C16452 C30B2514 H01L21205

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

刘航;段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	授权	授权
2017-08-18	公开	公开
2018-05-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20180503 变更事项:申请人变更前权利人:新日铁住金株式会社变更后权利人:昭和电工株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747166979 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2016800036937 申请日:20160212

共 50 条

[1]

碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P].

张士良 ;

冯尹 ;

张鹏 ;

马万里 ;

钟泳生 .

中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18

[2]

碳化硅外延片生长方法 [P].

马爽 ;

韩景瑞 ;

丁雄傑 ;

李锡光 .

中国专利 :CN119800499A ,2025-04-11

[3]

单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法 [P].

鸟见聪 ;

野上晓 ;

松本强资 .

中国专利 :CN103270203B ,2013-08-28

[4]

碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P].

丁昌钊 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13

[5]

一种碳化硅外延生长方法 [P].

施建新 ;

黄名海 ;

郑英杰 .

中国专利 :CN115029782A ,2022-09-09

[6]

一种碳化硅外延生长方法 [P].

张哲伟 ;

曹毅 ;

王威威 ;

杜昌 ;

严鹏 .

中国专利 :CN117577515A ,2024-02-20

[7]

改善外延坑缺陷的碳化硅外延晶片生长方法 [P].

李轲勍 ;

韩景瑞 ;

丁雄傑 ;

肖树威 ;

钟俊杰 ;

李锡光 .

中国专利 :CN120401011A ,2025-08-01

[8]

一种碳化硅外延生长方法及外延生长设备 [P].

张哲伟 ;

曹毅 ;

王威威 ;

杜昌 ;

严鹏 .

中国专利 :CN117604641A ,2024-02-27

[9]

单晶碳化硅液相外延生长用单元和单晶碳化硅的液相外延生长方法 [P].

鸟见聪 ;

野上晓 ;

松本强资 .

中国专利 :CN103282557B ,2013-09-04

[10]

碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P].

李哲洋 ;

王迦卉 ;

于乐 ;

金锐 .

中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08

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