碳化硅器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411488392.0

申请日：

2024-10-23

公开(公告)号：

CN119383999A

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

吴贤勇刘胜北花芯贺中鹤

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H01L23/367 H01L23/373 H10D30/66

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

赵娟娟

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-28	公开	公开
2025-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241023

共 50 条

[1]

一种碳化硅器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

刘胜北 ;

花芯 ;

吴冠涛 .

中国专利 :CN119384000A ,2025-01-28

[2]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

袁昊 ;

肖莉 ;

王梁永 ;

宋庆文 ;

周显华 ;

何艳静 .

中国专利 :CN112397566A ,2021-02-23

[3]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

罗顶 ;

徐承福 ;

范美聪 .

中国专利 :CN114628248A ,2022-06-14

[4]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934A ,2022-12-02

[5]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

杨涛 ;

夏长奉 ;

苏巍 ;

周国平 .

中国专利 :CN113555277A ,2021-10-26

[6]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934B ,2025-07-25

[7]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[8]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

徐航 ;

杨雅芬 ;

钱哲弘 ;

崔文荣 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118431293B ,2024-09-17

[9]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

陈伟钿 ;

周永昌 ;

张永杰 .

中国专利 :CN110718452B ,2025-04-08

[10]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

陈伟钿 ;

周永昌 ;

张永杰 .

中国专利 :CN110718452A ,2020-01-21

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