碳化硅器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210526000.X

申请日：

2022-05-16

公开(公告)号：

CN114628248A

公开(公告)日：

2022-06-14

发明(设计)人：

罗顶徐承福范美聪

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L21768 H01L23538 H01L29423 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-15	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 登记生效日:20220705 变更事项:申请人变更前权利人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司变更后权利人:中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司变更事项:地址变更前权利人:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号变更后权利人:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路508号
2022-06-14	公开	公开
2022-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20220516

共 50 条

[1]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934A ,2022-12-02

[2]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

毕建雄 .

中国专利 :CN115424934B ,2025-07-25

[3]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

袁昊 ;

肖莉 ;

王梁永 ;

宋庆文 ;

周显华 ;

何艳静 .

中国专利 :CN112397566A ,2021-02-23

[4]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

杨涛 ;

夏长奉 ;

苏巍 ;

周国平 .

中国专利 :CN113555277A ,2021-10-26

[5]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

刘胜北 ;

花芯 ;

贺中鹤 .

中国专利 :CN119383999A ,2025-01-28

[6]

碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件 [P].

席韡 ;

刘奇斌 .

中国专利 :CN112967929A ,2021-06-15

[7]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[8]

碳化硅器件外延结构及其制备方法 [P].

徐少东 ;

蔡文必 ;

于旺 ;

柴亚玲 ;

陶永洪 .

中国专利 :CN112993017B ,2021-06-18

[9]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

徐航 ;

杨雅芬 ;

钱哲弘 ;

崔文荣 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118431293B ,2024-09-17

[10]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

M·K·达斯 ;

S·-H·瑞 .

中国专利 :CN100555663C ,2007-06-06

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