碳化硅器件外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110202787.X

申请日：

2021-02-23

公开(公告)号：

CN112993017B

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

徐少东蔡文必于旺柴亚玲陶永洪

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2916

IPC分类号：

H01L2906 H01L29861 H01L21329

代理机构：

北京超成律师事务所 11646

代理人：

张江陵

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2022-08-09	授权	授权
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/16 申请日:20210223

共 50 条

[1]

碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件 [P].

席韡 ;

刘奇斌 .

中国专利 :CN112967929A ,2021-06-15

[2]

碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN117423720A ,2024-01-19

[3]

碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P].

曾为 ;

杜伟华 ;

李毕庆 ;

张洁 .

中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12

[4]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

罗顶 ;

徐承福 ;

范美聪 .

中国专利 :CN114628248A ,2022-06-14

[5]

碳化硅器件及其制备方法 [P].

杨涛 ;

夏长奉 ;

苏巍 ;

周国平 .

中国专利 :CN113555277A ,2021-10-26

[6]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

[7]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05

[8]

碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法 [P].

刘兴昉 ;

杨尚宇 ;

闫果果 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN115852490B ,2025-08-29

[9]

碳化硅外延终端扩展结构及碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN221226227U ,2024-06-25

[10]

碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构 [P].

陶永洪 ;

蔡文必 ;

徐少东 .

中国专利 :CN113097160A ,2021-07-09

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