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碳化硅器件
被引:0
申请号
:
CN202011280134.5
申请日
:
2020-11-16
公开(公告)号
:
CN114512531A
公开(公告)日
:
2022-05-17
发明(设计)人
:
龚轶
刘磊
刘伟
王睿
申请人
:
申请人地址
:
215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L29423
H01L2908
H01L2978
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
孟金喆
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-06-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201116
2022-05-17
公开
公开
共 50 条
[1]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法
[P].
R·拉普
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R·拉普
;
C·黑希特
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C·黑希特
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J·康拉斯
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J·康拉斯
;
W·伯格纳
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W·伯格纳
;
H-J·舒尔策
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H-J·舒尔策
;
R·埃尔佩尔特
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R·埃尔佩尔特
.
中国专利
:CN107658216A
,2018-02-02
[2]
碳化硅器件和用于制造碳化硅器件的方法
[P].
R.柯恩
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R.柯恩
;
R.鲁普
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R.鲁普
.
中国专利
:CN109427563A
,2019-03-05
[3]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法
[P].
E·菲尔古特
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
E·菲尔古特
;
R·K·约希
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
R·K·约希
;
R·西米尼克
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
R·西米尼克
;
T·巴斯勒
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
T·巴斯勒
;
M·格鲁贝尔
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
M·格鲁贝尔
;
J·希尔森贝克
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
J·希尔森贝克
;
D·彼得斯
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
D·彼得斯
;
R·鲁普
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
R·鲁普
;
W·肖尔茨
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
W·肖尔茨
.
德国专利
:CN120390431A
,2025-07-29
[4]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法
[P].
E.菲尔古特
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
E.菲尔古特
;
R.K.约希
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
R.K.约希
;
R.西米尼克
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
R.西米尼克
;
T.巴斯勒
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
T.巴斯勒
;
M.格鲁贝尔
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
M.格鲁贝尔
;
J.希尔森贝克
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
J.希尔森贝克
;
D.彼得斯
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
D.彼得斯
;
R.鲁普
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英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
R.鲁普
;
W.肖尔茨
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
W.肖尔茨
.
德国专利
:CN110676322B
,2025-05-30
[5]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法
[P].
R·拉普
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R·拉普
;
C·黑希特
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C·黑希特
;
J·康拉斯
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J·康拉斯
;
W·伯格纳
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W·伯格纳
;
H-J·舒尔策
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H-J·舒尔策
;
R·埃尔佩尔特
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R·埃尔佩尔特
.
中国专利
:CN104078514A
,2014-10-01
[6]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法
[P].
E.菲尔古特
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E.菲尔古特
;
R.K.约希
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R.K.约希
;
R.西米尼克
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R.西米尼克
;
T.巴斯勒
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T.巴斯勒
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M.格鲁贝尔
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M.格鲁贝尔
;
J.希尔森贝克
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J.希尔森贝克
;
D.彼得斯
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D.彼得斯
;
R.鲁普
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R.鲁普
;
W.肖尔茨
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W.肖尔茨
.
中国专利
:CN110676322A
,2020-01-10
[7]
碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件
[P].
周玉华
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上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
周玉华
;
刘胜北
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上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘胜北
;
吴剑波
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上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
吴剑波
;
魏丹珠
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上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
魏丹珠
;
孙向东
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上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
孙向东
;
吴贤勇
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
吴贤勇
.
中国专利
:CN118782463A
,2024-10-15
[8]
碳化硅器件
[P].
吴健
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杰平方半导体(上海)有限公司
杰平方半导体(上海)有限公司
吴健
;
刘立安
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机构:
杰平方半导体(上海)有限公司
杰平方半导体(上海)有限公司
刘立安
.
中国专利
:CN222638984U
,2025-03-18
[9]
碳化硅器件
[P].
陈伟钿
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陈伟钿
;
周永昌
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周永昌
;
张永杰
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张永杰
.
中国专利
:CN208655573U
,2019-03-26
[10]
碳化硅器件的离子注入方法及碳化硅器件
[P].
靖伯超
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
靖伯超
;
董新宇
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
董新宇
;
陈辉旺
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
陈辉旺
.
中国专利
:CN119170491A
,2024-12-20
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