一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410339052.5

申请日：

2024-03-25

公开(公告)号：

CN117936376A

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

赵兵王兆祥裴凯刘雨佳梁洁

申请人：

上海谙邦半导体设备有限公司

申请人地址：

201304 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区洲德路1588号2幢2座

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/027 H01L29/06

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651

代理人：

帅进军

法律状态：

专利权质押登记、变更及注销

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	专利权质押登记、变更及注销	专利权质押登记IPC(主分类):H01L 21/3065登记号:Y2024310001139登记日:20241105出质人:上海谙邦半导体设备有限公司,上海邦芯半导体科技有限公司质权人:中国民生银行股份有限公司上海分行发明名称:一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件申请日:20240325授权公告日:20240607
2024-06-07	授权	授权
2024-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20240325
2024-05-28	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/3065变更事项:发明人变更前:赵兵王兆祥裴凯刘雨佳梁洁变更后:赵兵王兆祥裴凯柳雨佳梁洁
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件 [P].

赵兵 ;

王兆祥 ;

裴凯 ;

柳雨佳 ;

梁洁 .

中国专利 :CN117936376B ,2024-06-07

[2]

碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 [P].

贺艺舒 ;

季益静 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN114551227B ,2025-12-30

[3]

碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 [P].

贺艺舒 ;

季益静 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN114551227A ,2022-05-27

[4]

碳化硅沟槽半导体器件 [P].

大卫·谢里丹 ;

维平达斯·帕拉 ;

马督儿·博德 .

加拿大专利 :CN113206153B ,2024-09-13

[5]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[6]

沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件 [P].

刘启军 ;

王亚飞 ;

李诚瞻 ;

陈喜明 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

张超 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111986991A ,2020-11-24

[7]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104871316A ,2015-08-26

[9]

碳化硅半导体器件及碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

斋藤雄 .

日本专利 :CN117716512A ,2024-03-15

[10]

碳化硅沟槽半导体器件 [P].

R.西米尼克 ;

M.特罗伊 .

中国专利 :CN102376751A ,2012-03-14

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