碳化硅沟槽半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110231060.0

申请日：

2011-08-12

公开(公告)号：

CN102376751A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

R.西米尼克 M.特罗伊

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2936 H01L2978

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

曲宝壮;王洪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	公开	公开
2017-06-20	授权	授权
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231929266 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2011102310600 申请日:20110812

共 50 条

[1]

碳化硅沟槽半导体器件 [P].

大卫·谢里丹 ;

维平达斯·帕拉 ;

马督儿·博德 .

加拿大专利 :CN113206153B ,2024-09-13

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

铃木拓马 ;

河野洋志 ;

四户孝 .

中国专利 :CN101933146A ,2010-12-29

[3]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

宫原真一朗 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

渡边行彦 ;

副岛成雅 ;

石川刚 .

中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104662664B ,2015-05-27

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

斋藤雄 ;

林秀树 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

前山雄介 ;

西川恒一 ;

福田祐介 ;

清水正章 ;

佐藤雅 ;

岩黑弘明 ;

野中贤一 .

中国专利 :CN1838428A ,2006-09-27

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102859697A ,2013-01-02

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