碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111307870.X

申请日：

2021-11-05

公开(公告)号：

CN114005869A

公开(公告)日：

2022-02-01

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海段和段律师事务所 31334

代理人：

李佳俊;郭国中

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-01	公开	公开
2022-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20211105

共 50 条

[1]

碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114005869B ,2025-03-07

[2]

碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

张金平 ;

王鹏蛟 ;

吴庆霖 ;

刘竞秀 ;

张波 .

中国专利 :CN112687745B ,2021-04-20

[3]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[4]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737A ,2024-06-25

[5]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

何海洋 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN118248737B ,2024-10-01

[6]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及构造方法 [P].

任玉娇 ;

任炜强 ;

余良 .

中国专利 :CN120187072A ,2025-06-20

[7]

分裂栅型沟槽碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN118630053A ,2024-09-10

[8]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

汪之涵 ;

温正欣 ;

和巍巍 .

中国专利 :CN117238972B ,2024-04-16

[9]

碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件 [P].

王亚飞 ;

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111933685B ,2020-11-13

[10]

双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

李士颜 ;

宋晓峰 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117525154B ,2024-03-22

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