碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010591568.0

申请日：

2020-06-24

公开(公告)号：

CN111933685B

公开(公告)日：

2020-11-13

发明(设计)人：

王亚飞陈喜明李诚瞻罗海辉

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;金淼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-13	公开	公开
2022-09-09	授权	授权
2020-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200624

共 50 条

[1]

碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件 [P].

戴小平 ;

王亚飞 ;

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786679A ,2021-05-11

[2]

碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件 [P].

王亚飞 ;

刘启军 ;

马亚超 ;

陈喜明 ;

刘坤 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111933710A ,2020-11-13

[3]

碳化硅MOSFET器件 [P].

卓廷厚 ;

李钊君 ;

刘延聪 .

中国专利 :CN209766429U ,2019-12-10

[4]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217468442U ,2022-09-20

[5]

碳化硅MOSFET器件 [P].

杨明超 ;

杨毅 ;

耿莉 .

中国专利 :CN120857570A ,2025-10-28

[6]

碳化硅MOSFET器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN217114399U ,2022-08-02

[7]

碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件 [P].

王亚飞 ;

罗海辉 ;

李诚瞻 ;

陈喜明 ;

罗烨辉 ;

周才能 ;

张文杰 .

中国专利 :CN112614879A ,2021-04-06

[8]

碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

吴贤勇 ;

王群 ;

张沙 .

中国专利 :CN117832277A ,2024-04-05

[9]

MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件 [P].

M·G·萨吉奥 ;

E·扎内蒂 .

中国专利 :CN210296383U ,2020-04-10

[10]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

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