碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010768456.8

申请日：

2020-08-03

公开(公告)号：

CN111933710A

公开(公告)日：

2020-11-13

发明(设计)人：

王亚飞刘启军马亚超陈喜明刘坤李诚瞻罗海辉

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L2104

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;金淼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200803
2020-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件 [P].

王亚飞 ;

罗海辉 ;

李诚瞻 ;

陈喜明 ;

罗烨辉 ;

周才能 ;

张文杰 .

中国专利 :CN112614879A ,2021-04-06

[2]

碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件 [P].

王亚飞 ;

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111933685B ,2020-11-13

[3]

碳化硅VDMOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅VDMOSFET器件 [P].

戴小平 ;

高秀秀 ;

谢思亮 ;

汤晓燕 ;

齐放 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN112002751A ,2020-11-27

[4]

碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件 [P].

戴小平 ;

王亚飞 ;

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786679A ,2021-05-11

[5]

碳化硅器件 [P].

吴健 ;

刘立安 .

中国专利 :CN222638984U ,2025-03-18

[6]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[7]

沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件 [P].

刘启军 ;

王亚飞 ;

李诚瞻 ;

陈喜明 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

张超 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111986991A ,2020-11-24

[8]

碳化硅器件 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN114512531A ,2022-05-17

[9]

碳化硅器件 [P].

陈伟钿 ;

周永昌 ;

张永杰 .

中国专利 :CN208655573U ,2019-03-26

[10]

碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 .

中国专利 :CN114899103A ,2022-08-12

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