表面发射激光器及表面发射激光器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280068822.6

申请日：

2022-08-25

公开(公告)号：

CN118104090A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

立川佳照

申请人：

索尼半导体解决方案公司

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

沈丹阳

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):H01S 5/183申请公布日:20240528
2024-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/183申请日:20220825
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

表面发射激光器、表面发射激光器的制造方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN118975076A ,2024-11-15

[2]

表面发射激光器、表面发射激光器阵列以及表面发射激光器的制造方法 [P].

田中雅之 ;

横关弥树博 .

日本专利 :CN118805309A ,2024-10-18

[3]

表面发射激光器和用于制造表面发射激光器的方法 [P].

中岛博 ;

佐藤进 ;

横关弥树博 .

日本专利 :CN118575379A ,2024-08-30

[4]

表面发射激光器及表面发射激光器的制备方法 [P].

盐见治典 ;

横关弥树博 ;

田中雅之 ;

渡边知雅 .

日本专利 :CN118786590A ,2024-10-15

[5]

表面发射激光器、表面发射激光器阵列及电子装置 [P].

德田耕太 .

日本专利 :CN117397135A ,2024-01-12

[6]

表面发射激光器、制造表面发射激光器的方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN119301831A ,2025-01-10

[7]

表面发射激光器和制造表面发射激光器的方法 [P].

野田进 ;

田中良典 ;

M·德佐伊萨 ;

园田纯一 ;

小泉朋朗 ;

江本渓 .

中国专利 :CN110337764A ,2019-10-15

[8]

表面发射激光器和表面发射激光器阵列 [P].

横关弥树博 ;

中岛博 ;

田中雅之 ;

渡边知雅 ;

盐见治典 .

日本专利 :CN120836124A ,2025-10-24

[9]

表面发射激光器元件及制造表面发射激光器元件的方法 [P].

野田进 ;

田中良典 ;

M·德佐伊萨 ;

石崎贤司 ;

小泉朋朗 ;

江本渓 .

中国专利 :CN112673535A ,2021-04-16

[10]

表面发射激光器 [P].

莫庆伟 ;

张杨 .

中国专利 :CN120222140A ,2025-06-27

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