表面发射激光器元件及制造表面发射激光器元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980057302.3

申请日：

2019-08-29

公开(公告)号：

CN112673535A

公开(公告)日：

2021-04-16

发明(设计)人：

野田进田中良典 M·德佐伊萨石崎贤司小泉朋朗江本渓

申请人：

申请人地址：

日本京都府京都市

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

C30B2518 C30B2938 H01S5323 H01L21365

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

赵彤;刘久亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-16	公开	公开
2021-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/183 申请日:20190829

共 50 条

[1]

表面发射激光器、制造表面发射激光器的方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN119301831A ,2025-01-10

[2]

表面发射激光器和制造表面发射激光器的方法 [P].

野田进 ;

田中良典 ;

M·德佐伊萨 ;

园田纯一 ;

小泉朋朗 ;

江本渓 .

中国专利 :CN110337764A ,2019-10-15

[3]

表面发射激光器、表面发射激光器的制造方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN118975076A ,2024-11-15

[4]

表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备和制造表面发射激光器元件的方法 [P].

东康弘 ;

原坂和宏 .

中国专利 :CN102460865A ,2012-05-16

[5]

表面发射激光器、表面发射激光器阵列以及表面发射激光器的制造方法 [P].

田中雅之 ;

横关弥树博 .

日本专利 :CN118805309A ,2024-10-18

[6]

表面发射激光器和用于制造表面发射激光器的方法 [P].

中岛博 ;

佐藤进 ;

横关弥树博 .

日本专利 :CN118575379A ,2024-08-30

[7]

表面发射激光器及表面发射激光器的制造方法 [P].

立川佳照 .

日本专利 :CN118104090A ,2024-05-28

[8]

用于制造表面发射激光器的方法 [P].

井久田光弘 .

中国专利 :CN101359808B ,2009-02-04

[9]

表面发射激光器及表面发射激光器的制备方法 [P].

盐见治典 ;

横关弥树博 ;

田中雅之 ;

渡边知雅 .

日本专利 :CN118786590A ,2024-10-15

[10]

表面发射激光器 [P].

井久田光弘 .

中国专利 :CN101821917A ,2010-09-01

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