用于制造表面发射激光器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810129466.6

申请日：

2008-07-31

公开(公告)号：

CN101359808B

公开(公告)日：

2009-02-04

发明(设计)人：

井久田光弘

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S518

IPC分类号：

H01S5187 H01S5125 H01S530

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

康建忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-09-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101748158373 IPC(主分类):H01S 5/18 专利号:ZL2008101294666 申请日:20080731 授权公告日:20101229 终止日期:20160731
2009-02-04	公开	公开
2010-12-29	授权	授权

共 50 条

[1]

表面发射激光器、制造表面发射激光器的方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN119301831A ,2025-01-10

[2]

表面发射激光器和制造表面发射激光器的方法 [P].

野田进 ;

田中良典 ;

M·德佐伊萨 ;

园田纯一 ;

小泉朋朗 ;

江本渓 .

中国专利 :CN110337764A ,2019-10-15

[3]

表面发射激光器和用于制造表面发射激光器的方法 [P].

中岛博 ;

佐藤进 ;

横关弥树博 .

日本专利 :CN118575379A ,2024-08-30

[4]

表面发射激光器元件及制造表面发射激光器元件的方法 [P].

野田进 ;

田中良典 ;

M·德佐伊萨 ;

石崎贤司 ;

小泉朋朗 ;

江本渓 .

中国专利 :CN112673535A ,2021-04-16

[5]

表面发射激光器 [P].

井久田光弘 .

中国专利 :CN101359807B ,2009-02-04

[6]

表面发射激光器、表面发射激光器的制造方法 [P].

斯里尼瓦斯·甘德罗图拉 .

日本专利 :CN118975076A ,2024-11-15

[7]

表面发射激光器、表面发射激光器阵列以及表面发射激光器的制造方法 [P].

田中雅之 ;

横关弥树博 .

日本专利 :CN118805309A ,2024-10-18

[8]

垂直腔表面发射激光器及其制造方法 [P].

万文锐 ;

孙昀 ;

荀孟 ;

潘冠中 ;

黄开典 .

中国专利 :CN118399194A ,2024-07-26

[9]

垂直腔表面发射激光器及其制造方法 [P].

E·卡彭 ;

V·伊亚科夫勒夫 ;

A·西尔布 ;

A·鲁德拉 .

中国专利 :CN1524328A ,2004-08-25

[10]

制造表面发射激光器的方法、以及表面发射激光器、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备 [P].

庄子浩义 ;

佐藤俊一 ;

伊藤彰浩 ;

原坂和宏 .

中国专利 :CN102439806A ,2012-05-02

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