半导体结构及存储器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211007255.1
申请日
2022-08-22
公开(公告)号
CN117673124A
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
刘建磊
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L29/10
IPC分类号
H10B12/00
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
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单雪 .
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[3]
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杨正杰 .
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[4]
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杨正杰 .
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