一种石墨烯/GaN/AlGaN整流芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311269468.6

申请日：

2023-09-28

公开(公告)号：

CN117352543A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

李国强周润杰王文樑

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

511458 广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L21/335 H01L29/16 H01L29/417

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-05	公开	公开
2024-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20230928

共 50 条

[1]

具有石墨烯混合阳极的GaN整流芯片及其制备方法 [P].

李国强 ;

周润杰 .

中国专利 :CN120239288A ,2025-07-01

[2]

一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法 [P].

李国强 ;

李筱婵 .

中国专利 :CN109873031B ,2024-08-02

[3]

一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法 [P].

李国强 ;

李筱婵 .

中国专利 :CN109873031A ,2019-06-11

[4]

一种石墨烯辅助GaN整流器 [P].

李国强 ;

李筱婵 .

中国专利 :CN211295107U ,2020-08-18

[5]

石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法 [P].

刘志强 ;

冯涛 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

张硕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN114759088A ,2022-07-15

[6]

一种石墨烯LED芯片及其制备方法 [P].

白德旭 .

中国专利 :CN105449067A ,2016-03-30

[7]

一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法 [P].

邓高强 ;

张源涛 ;

于佳琪 ;

赵敬凯 ;

王昱森 .

中国专利 :CN118919618A ,2024-11-08

[8]

一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法 [P].

邓高强 ;

张源涛 ;

于佳琪 ;

赵敬凯 ;

王昱森 .

中国专利 :CN118919618B ,2025-06-06

[9]

石墨烯加热芯片及其制备方法 [P].

梁倞 ;

赵洁 ;

魏洋 ;

李群庆 ;

范守善 .

中国专利 :CN117858282A ,2024-04-09

[10]

一种石墨烯制备方法、石墨烯及其制备系统 [P].

李星 ;

刘长虹 ;

蔡雨婷 ;

漆长席 ;

蒋虎南 .

中国专利 :CN109264702A ,2019-01-25

← 1 2 3 4 5 →