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一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910254959.0
申请日
:
2019-03-30
公开(公告)号
:
CN109873031B
公开(公告)日
:
2024-08-02
发明(设计)人
:
李国强
李筱婵
申请人
:
华南理工大学
申请人地址
:
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号
:
H01L29/45
IPC分类号
:
H01L29/47
H01L23/373
H01L29/861
H01L21/329
代理机构
:
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
:
何淑珍;冯振宁
法律状态
:
授权
国省代码
:
广东省 广州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-08-02
授权
授权
共 50 条
[1]
一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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李国强
;
李筱婵
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李筱婵
.
中国专利
:CN109873031A
,2019-06-11
[2]
一种石墨烯辅助GaN整流器
[P].
李国强
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0
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李国强
;
李筱婵
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0
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李筱婵
.
中国专利
:CN211295107U
,2020-08-18
[3]
一种石墨烯/GaN/AlGaN整流芯片及其制备方法
[P].
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机构:
李国强
;
周润杰
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机构:
华南理工大学
华南理工大学
周润杰
;
论文数:
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机构:
王文樑
.
中国专利
:CN117352543A
,2024-01-05
[4]
N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法
[P].
王文樑
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王文樑
;
李灏
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李灏
;
侯冬曼
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侯冬曼
;
李国强
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李国强
;
林廷钧
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林廷钧
.
中国专利
:CN114864657A
,2022-08-05
[5]
N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法
[P].
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机构:
王文樑
;
李灏
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机构:
华南理工大学
华南理工大学
李灏
;
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机构:
侯冬曼
;
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机构:
李国强
;
林廷钧
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机构:
华南理工大学
华南理工大学
林廷钧
.
中国专利
:CN114864657B
,2025-06-17
[6]
N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法
[P].
王文樑
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王文樑
;
江弘胜
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江弘胜
;
李国强
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李国强
;
李林浩
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李林浩
;
张景鸿
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张景鸿
.
中国专利
:CN114242782A
,2022-03-25
[7]
一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法
[P].
李国强
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李国强
;
胡智凯
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胡智凯
;
王文樑
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王文樑
;
唐鑫
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0
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唐鑫
.
中国专利
:CN111009467B
,2020-04-14
[8]
一种GaN/PPY/石墨烯氨气传感器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
韩丹
;
论文数:
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机构:
光炬旭
;
论文数:
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机构:
贾正阳
;
论文数:
引用数:
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机构:
桑胜波
.
中国专利
:CN120629291A
,2025-09-12
[9]
一种结构修饰型石墨烯热整流器件
[P].
杨平
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杨平
;
李霞龙
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李霞龙
;
宫杰
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宫杰
;
唐昀青
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唐昀青
.
中国专利
:CN203674195U
,2014-06-25
[10]
具有石墨烯混合阳极的GaN整流芯片及其制备方法
[P].
李国强
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机构:
河源市众拓光电科技有限公司
河源市众拓光电科技有限公司
李国强
;
周润杰
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机构:
河源市众拓光电科技有限公司
河源市众拓光电科技有限公司
周润杰
.
中国专利
:CN120239288A
,2025-07-01
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