一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910254959.0
申请日
2019-03-30
公开(公告)号
CN109873031B
公开(公告)日
2024-08-02
发明(设计)人
李国强 李筱婵
申请人
华南理工大学
申请人地址
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号
H01L29/45
IPC分类号
H01L29/47 H01L23/373 H01L29/861 H01L21/329
代理机构
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
何淑珍;冯振宁
法律状态
授权
国省代码
广东省 广州市
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共 50 条
[1]
一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
李筱婵 .
中国专利 :CN109873031A ,2019-06-11
[2]
一种石墨烯辅助GaN整流器 [P]. 
李国强 ;
李筱婵 .
中国专利 :CN211295107U ,2020-08-18
[3]
一种石墨烯/GaN/AlGaN整流芯片及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
周润杰 ;
王文樑 .
中国专利 :CN117352543A ,2024-01-05
[4]
N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P]. 
王文樑 ;
李灏 ;
侯冬曼 ;
李国强 ;
林廷钧 .
中国专利 :CN114864657A ,2022-08-05
[5]
N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P]. 
王文樑 ;
李灏 ;
侯冬曼 ;
李国强 ;
林廷钧 .
中国专利 :CN114864657B ,2025-06-17
[6]
N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法 [P]. 
王文樑 ;
江弘胜 ;
李国强 ;
李林浩 ;
张景鸿 .
中国专利 :CN114242782A ,2022-03-25
[7]
一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
胡智凯 ;
王文樑 ;
唐鑫 .
中国专利 :CN111009467B ,2020-04-14
[8]
一种GaN/PPY/石墨烯氨气传感器及其制备方法 [P]. 
韩丹 ;
光炬旭 ;
贾正阳 ;
桑胜波 .
中国专利 :CN120629291A ,2025-09-12
[9]
一种结构修饰型石墨烯热整流器件 [P]. 
杨平 ;
李霞龙 ;
宫杰 ;
唐昀青 .
中国专利 :CN203674195U ,2014-06-25
[10]
具有石墨烯混合阳极的GaN整流芯片及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
周润杰 .
中国专利 :CN120239288A ,2025-07-01