高电子迁移率晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311017723.8
申请日
2023-08-14
公开(公告)号
CN117650170A
公开(公告)日
2024-03-05
发明(设计)人
S·夏尔马 S·本特利
申请人
格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请人地址
美国纽约州
IPC主分类号
H01L29/778
IPC分类号
H01L29/423 H01L29/40 H01L27/06 H01L29/94 H01L21/335
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
贺月娇;牛南辉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
杨伟臣 ;
何伟志 .
中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06
[2]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
B·T·库奇 ;
J·M·德安格里斯 ;
S·H·波特 ;
T·S·威尔斯 ;
M·D·莱维 .
美国专利 :CN119835984A ,2025-04-15
[3]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
S·沙玛 ;
M·J·齐拉克 ;
S·J·本特利 ;
M·D·莱维 .
美国专利 :CN118156297A ,2024-06-07
[4]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
F·尤克拉诺 ;
A·齐尼 .
中国专利 :CN208861994U ,2019-05-14
[5]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
A·库迪姆 ;
J·拉姆德尼 ;
L·刘 .
中国专利 :CN105720096A ,2016-06-29
[6]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
S·夏尔马 ;
R·克里希纳萨米 ;
J·A·康塔洛夫斯基 .
美国专利 :CN118116968A ,2024-05-31
[7]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
M·D·莱维 ;
J·A·康塔洛夫斯基 ;
M·J·齐拉克 ;
S·沙马 ;
S·J·本特利 .
美国专利 :CN119815861A ,2025-04-11
[8]
高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法 [P]. 
张坤好 ;
N·乔杜里 .
中国专利 :CN111727507A ,2020-09-29
[9]
高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P]. 
蔡政原 .
中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12
[10]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
乔夫·德卢伊 .
:CN110754002B ,2024-03-19