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高电子迁移率晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311017723.8
申请日
:
2023-08-14
公开(公告)号
:
CN117650170A
公开(公告)日
:
2024-03-05
发明(设计)人
:
S·夏尔马
S·本特利
申请人
:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请人地址
:
美国纽约州
IPC主分类号
:
H01L29/778
IPC分类号
:
H01L29/423
H01L29/40
H01L27/06
H01L29/94
H01L21/335
代理机构
:
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
:
贺月娇;牛南辉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20230814
2024-03-05
公开
公开
共 50 条
[1]
高电子迁移率晶体管
[P].
杨伟臣
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
杨伟臣
;
何伟志
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机构:
英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
何伟志
.
中国专利
:CN120111925A
,2025-06-06
[2]
高电子迁移率晶体管
[P].
B·T·库奇
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
B·T·库奇
;
J·M·德安格里斯
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
J·M·德安格里斯
;
S·H·波特
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·H·波特
;
T·S·威尔斯
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
T·S·威尔斯
;
M·D·莱维
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
M·D·莱维
.
美国专利
:CN119835984A
,2025-04-15
[3]
高电子迁移率晶体管
[P].
S·沙玛
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·沙玛
;
M·J·齐拉克
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
M·J·齐拉克
;
S·J·本特利
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·J·本特利
;
M·D·莱维
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
M·D·莱维
.
美国专利
:CN118156297A
,2024-06-07
[4]
高电子迁移率晶体管
[P].
F·尤克拉诺
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F·尤克拉诺
;
A·齐尼
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A·齐尼
.
中国专利
:CN208861994U
,2019-05-14
[5]
高电子迁移率晶体管
[P].
A·库迪姆
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A·库迪姆
;
J·拉姆德尼
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J·拉姆德尼
;
L·刘
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L·刘
.
中国专利
:CN105720096A
,2016-06-29
[6]
高电子迁移率晶体管
[P].
S·夏尔马
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·夏尔马
;
R·克里希纳萨米
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
R·克里希纳萨米
;
J·A·康塔洛夫斯基
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
J·A·康塔洛夫斯基
.
美国专利
:CN118116968A
,2024-05-31
[7]
高电子迁移率晶体管
[P].
M·D·莱维
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
M·D·莱维
;
J·A·康塔洛夫斯基
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
J·A·康塔洛夫斯基
;
M·J·齐拉克
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
M·J·齐拉克
;
S·沙马
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·沙马
;
S·J·本特利
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·J·本特利
.
美国专利
:CN119815861A
,2025-04-11
[8]
高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法
[P].
张坤好
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张坤好
;
N·乔杜里
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0
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0
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0
N·乔杜里
.
中国专利
:CN111727507A
,2020-09-29
[9]
高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管
[P].
蔡政原
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蔡政原
.
中国专利
:CN214705936U
,2021-11-12
[10]
高电子迁移率晶体管
[P].
乔夫·德卢伊
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机构:
埃皮根股份有限公司
埃皮根股份有限公司
乔夫·德卢伊
.
:CN110754002B
,2024-03-19
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