高电子迁移率晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411090414.8

申请日：

2024-08-09

公开(公告)号：

CN119815861A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

M·D·莱维 J·A·康塔洛夫斯基 M·J·齐拉克 S·沙马 S·J·本特利

申请人：

格芯（美国）集成电路科技有限公司

申请人地址：

美国

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/00

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

林莹莹;牛南辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20240809
2025-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管 [P].

B·T·库奇 ;

J·M·德安格里斯 ;

S·H·波特 ;

T·S·威尔斯 ;

M·D·莱维 .

美国专利 :CN119835984A ,2025-04-15

[2]

高电子迁移率晶体管 [P].

肖金平 ;

逯永建 ;

闻永祥 ;

贾利芳 .

中国专利 :CN211789027U ,2020-10-27

[3]

高电子迁移率晶体管 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06

[4]

高电子迁移率晶体管 [P].

S·沙玛 ;

M·J·齐拉克 ;

S·J·本特利 ;

M·D·莱维 .

美国专利 :CN118156297A ,2024-06-07

[5]

高电子迁移率晶体管 [P].

魏星 ;

王中健 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103745989B ,2014-04-23

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

S·夏尔马 ;

S·本特利 .

美国专利 :CN117650170A ,2024-03-05

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

S·夏尔马 ;

R·克里希纳萨米 ;

J·A·康塔洛夫斯基 .

美国专利 :CN118116968A ,2024-05-31

[8]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

黄仁俊 ;

吴在浚 ;

李在垣 ;

崔孝枝 ;

河种奉 .

中国专利 :CN103151374A ,2013-06-12

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