高电子迁移率晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310745064.X

申请日：

2013-12-31

公开(公告)号：

CN103745989B

公开(公告)日：

2014-04-23

发明(设计)人：

魏星王中健狄增峰方子韦

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

孙佳胤;翟羽

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	授权	授权
2014-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582383617 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:201310745064X 申请日:20131231
2014-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[2]

高电子迁移率晶体管 [P].

肖金平 ;

逯永建 ;

闻永祥 ;

贾利芳 .

中国专利 :CN211789027U ,2020-10-27

[3]

高电子迁移率晶体管 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06

[4]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN110754002A ,2020-02-04

[5]

高电子迁移率晶体管 [P].

A·库迪姆 ;

J·拉姆德尼 ;

L·刘 .

中国专利 :CN105720096A ,2016-06-29

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘柏均 ;

喻中一 ;

陈祈铭 ;

江振豪 .

中国专利 :CN103943674A ,2014-07-23

[7]

平面高电子迁移率晶体管 [P].

周翔 .

中国专利 :CN114664943A ,2022-06-24

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

张进成 ;

付小凡 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

陈珂 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130159A ,2011-07-20

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘柏均 ;

喻中一 ;

陈祈铭 ;

江振豪 .

中国专利 :CN110277446A ,2019-09-24

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

刘梅 .

中国专利 :CN109560129A ,2019-04-02

← 1 2 3 4 5 →